恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许耀文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011162185.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及制造方法是由许耀文;黄铭淇;庄英良设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了利用底部抗反射层的处理工艺的半导体器件和方法。该处理工艺可以是物理处理工艺，其中添加材料以填充底部抗反射层的材料内的洞和孔，或者处理工艺可以是化学处理工艺，其中使用化学反应来形成保护层。通过处理底部抗反射层，减少或消除了随后施加的化学物质的扩散，从而有助于防止由这种扩散引起的缺陷。
本发明授权半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在凸起半导体区域之上形成第一层；在所述第一层之上施加底部抗反射层，所述底部抗反射层具有相对于第一化学物质的第一扩散性，其中，用于形成所述底部抗反射层的材料包括聚合树脂、催化剂和交联剂，所述聚合树脂包括具有各种单体的聚合物，这些单体通过交联剂与发色团结合在一起，并且所述第一化学物质是蚀刻剂；图案化所述底部抗反射层；将所述第一扩散性减小至相对于所述第一化学物质的第二扩散性，其中，将所述第一扩散性减小至所述第二扩散性包括将异丙醇或六甲基二硅氮烷施加到所述底部抗反射层；以及在所述底部抗反射层存在时使用所述第一化学物质去除所述第一层的一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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