恭喜中国科学院微电子研究所周娜获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种湿度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114018991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111095878.4，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权一种湿度传感器及其制备方法是由周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种湿度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种湿度传感器及其制备方法。一种湿度传感器，包括：半导体衬底；半导体衬底表面形成有介电层；介电层上表面设有金属电容器结构；金属电容器结构上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层湿敏层为金属氧化物，至少一层湿敏层为聚酰亚胺；金属电容器结构引出有电极。通过设置多层材料不同的湿敏层提升湿度灵敏度，解决了现有传感器灵敏度低的问题，同时采用的湿敏层材料都为CMOS器件常用材料，因此，制备工艺可以与CMOS工艺很好地兼容。
本发明授权一种湿度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种湿度传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有介电层；所述介电层上表面设有金属电容器结构，所述金属电容器结构呈叉指结构；所述金属电容器结构上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层湿敏层为金属氧化物，至少一层湿敏层为聚酰亚胺；靠近所述金属电容器结构的湿敏层为金属氧化物材料；所述金属氧化物为ZrO2或HfO2；金属氧化物材料覆盖介电层和金属电容器结构并在金属电容器结构的相邻电极之间形成沟槽，聚酰亚胺材料填充所述沟槽并覆盖金属氧化物材料；所述金属电容器结构引出有电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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