恭喜佳能株式会社渡边信一郎获国家专利权
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龙图腾网恭喜佳能株式会社申请的专利气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114481085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111246758.X，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法是由渡边信一郎;矢岛孝博;齐藤达也;内田达朗设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法在说明书摘要公布了：气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
本发明授权气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积掩模，其包括：硅基板，其包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，所述第二区域配置在所述第一区域的外周并具有大于所述第一厚度的第二厚度，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域由一个硅基板制成，所述硅基板具有构成位于所述第一区域与所述第二区域之间的台阶的内壁，在平面视图中，所述第一区域的最外周的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，所述内壁具有多个台阶，所述多个台阶包括第一台阶和第二台阶，所述第二台阶被配置成比所述第一台阶靠近所述第一区域，并且构成所述第二台阶的第二内壁与所述第一区域中的所述硅基板的上表面之间的角度小于构成所述第一台阶的第一内壁与所述第一区域中的所述硅基板的上表面之间的角度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佳能株式会社，其通讯地址为：日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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