恭喜三菱电机株式会社中村胜光获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111260903.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由中村胜光设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：针对具有纵向构造的半导体装置，解决由在形成缓冲层时导入至晶片中的晶体缺陷的影响导致的问题，并且实现各种特性的提高。半导体装置具有：第1导电型的N‑漂移层14，其形成于半导体基板；P基极层9，其形成于N‑漂移层14之上；以及第1导电型的N缓冲层15，其形成于N‑漂移层14之下，峰值杂质浓度比N‑漂移层14高。N缓冲层15包含：第1缓冲层15‑1，其是通过光致发光法没有检测出源自晶格缺陷的陷阱能级的层；以及第2缓冲层15‑2，其是设置于第1缓冲层15‑1和N‑漂移层14之间，通过光致发光法检测出两种源自晶格缺陷的陷阱能级的层。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第1主面及第2主面；第1导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板；第2导电型的杂质扩散层，其形成于所述漂移层的所述第1主面侧；以及第1导电型的缓冲层，其形成于所述漂移层的所述第2主面侧，与所述漂移层相比峰值杂质浓度高，所述缓冲层包含：第1缓冲层，其是通过光致发光法没有检测出源自晶格缺陷的陷阱能级的层；以及第2缓冲层，其是设置于所述第1缓冲层和所述漂移层之间，通过所述光致发光法检测出两种源自晶格缺陷的陷阱能级的层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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