恭喜江西兆驰半导体有限公司范绅钺获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210213586.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片是由范绅钺;田晓强;郭文凯设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片，所述制备方法包括提供一生长所需的P型层，同时，利用纳米压印做出纳米级线宽掩膜层，在所述P型层上沉积绝缘膜层，并通过所述纳米级线宽掩膜层对所述绝缘膜层进行一次掩膜处理，得到图案化绝缘膜层，将所述图案化绝缘膜层中的非掩膜部加工至预定厚度，并将残胶去除，得到薄层图案化绝缘膜层，将所述薄层图案化绝缘膜层通过二次掩膜分成工作区域和非工作区域，并将所述非工作区域的薄层图案化绝缘膜层去除，同时，将所述工作区域的薄层图案化绝缘膜层中的残胶去除，得到所述电流阻挡层。通过本发明可以在保证较低的制作成本的同时，制备出具有纳米级线宽的电流阻挡层。
本发明授权一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种电流阻挡层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一生长所需的P型层，同时，利用纳米压印做出纳米级线宽掩膜层；在所述P型层上沉积绝缘膜层，并通过所述纳米级线宽掩膜层对所述绝缘膜层进行一次掩膜处理，得到图案化绝缘膜层；将所述图案化绝缘膜层中的非掩膜部加工至预定厚度，并将残胶去除，得到薄层图案化绝缘膜层；将所述薄层图案化绝缘膜层通过二次掩膜分成工作区域和非工作区域，并将所述非工作区域的薄层图案化绝缘膜层去除，同时，将所述工作区域的薄层图案化绝缘膜层中的残胶去除，得到所述电流阻挡层。
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