恭喜杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司倪浩然获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114858286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210382635.7,技术领域涉及:G01J5/48;该发明授权一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法是由倪浩然;芮阳;王忠保;谢国荣设计研发完成,并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法,检测机构包括内嵌槽和固环,内嵌槽开设在上炉筒的内壁,内嵌槽的内表面与固环的外表面固定连接,本发明涉及单晶生产技术领域。该确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法,通过设置检测机构,首先通过设置多个红外热像仪,使得检测范围与上炉筒内部径长相同,适用于不同尺寸单晶棒的生长界面确认,其次红外热像仪通过单晶棒的热辐射形成热成像图,通过热成像图的尺寸可最终确认单晶棒的生长界面形状,通过上述结构的组合解决了单晶生长界面在长晶过程中受提拉速度和熔融体对流的影响,仅通过观测弯月面并不能完全确认最终的生长界面形状的问题。
本发明授权一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统及生产方法在权利要求书中公布了:1.一种确定长晶过程中生长界面形状的制备系统,包括上炉筒(1)和炉盖(2),所述上炉筒(1)的内部与炉盖(2)的内部相连通,其特征在于:所述上炉筒(1)的内部设置有检测机构(3);所述检测机构(3)包括内嵌槽(31)和固环(32),所述内嵌槽(31)开设在上炉筒(1)的内壁,所述内嵌槽(31)的内表面与固环(32)的外表面固定连接,所述固环(32)的内壁开设有活动槽(33),所述活动槽(33)的内部设置有隔热板(34),所述隔热板(34)通过夹持组件(35)与固环(32)相连接,所述隔热板(34)通过驱动组件(36)在活动槽(33)的内部转动,所述隔热板(34)的外表面设置有隔热套(37),所述隔热套(37)的内壁活动连接有红外热像仪(38),所述隔热套(37)的内壁卡接有挡板(39),所述红外热像仪(38)的外表面与挡板(39)的外表面活动连接,所述挡板(39)的外表面与隔热板(34)的内部贯穿固定连接;所述夹持组件(35)包括对称设置的夹持板(351)和滚珠槽(352),两个夹持板(351)的外表面均与活动槽(33)的内表面固定连接,上方所述夹持板(351)的底部开设有上夹槽(353),下方所述夹持板(351)的顶部开设有下夹槽(354),所述隔热板(34)的内表面与上夹槽(353)的内表面转动连接,所述隔热板(34)的外表面与下夹槽(354)的内表面转动连接,所述滚珠槽(352)分别开设在隔热板(34)的顶部和底部,所述滚珠槽(352)的内表面活动连接有滚珠(355),上方所述滚珠(355)的外表面与上夹槽(353)的内表面活动连接,下方所述滚珠(355)的外表面与下夹槽(354)的内表面活动连接。
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