恭喜长鑫存储技术有限公司刘佑铭获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116997179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434127.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘佑铭;肖德元设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；多条字线，位于所述衬底的顶面上，每条所述字线沿平行于所述衬底的顶面的方向延伸，多条所述字线沿垂直于所述衬底的顶面的方向间隔排布，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，任意相邻的两条所述字线至少部分错开设置。本公开降低了相邻两条字线之间的电容耦合效应，且有助于控制所述半导体结构的尺寸。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多条字线，位于所述衬底的顶面上，每条所述字线沿平行于所述衬底的顶面的方向延伸，多条所述字线沿垂直于所述衬底的顶面的方向间隔排布，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，任意相邻的两条所述字线完全错开设置；每条所述字线沿第一方向延伸，在所述第一方向和垂直于所述衬底的顶面的方向构成的平面上，任意相邻的两条所述字线的投影部分重叠；每条所述字线沿第一方向延伸，且每条所述字线包括第一端部、以及沿所述第一方向与所述第一端部相对的第二端部，所述第一方向为平行于所述衬底的顶面的方向；所述半导体结构还包括：多条字线引线，位于所述衬底的顶面上，每条所述字线引线沿垂直于所述衬底的顶面的方向延伸，多条所述字线引线分别与多条所述字线的所述第一端部电连接；与一条所述字线连接的所述字线引线的底面仅部分位于所述字线上。
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