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龙图腾网恭喜中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210755529.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用是由李良辉;徐星亮;徐哲;张林;李志强;李俊焘设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用，所述二氧化硅倾斜台面结构的斜坡顶部与底部具有1～15°的小角度，中部具有15～60°的大角度，为一种上小下大且边缘形貌圆润光滑的倾斜台面结构；该结构利用双层胶工艺对二氧化硅薄膜进行剥离形成。本发明提供的二氧化硅倾斜台面结构的制作方法可在包括但不限于以下三方面的场景中应用：1、作为绝缘介质层被应用于各类型器件加厚金属层间电学隔离；2、作为刻蚀掩膜被应用于SiC材料的倾斜角度刻蚀；3、作为钝化介质层被应用于SiC或GaN等材料功率器件的倾斜场板终端结构。

本发明授权一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅倾斜台面结构的斜坡顶部与底部均具有1～15°的小角度，中部具有15～60°的大角度，所述二氧化硅倾斜台面结构为一种上小下大且边缘形貌圆润光滑的倾斜台面结构；二氧化硅倾斜台面结构利用双层胶工艺对膜厚介于0.5～5μm之间二氧化硅薄膜进行剥离形成，过程如下：S1：在样片上旋涂厚度为1～5μm的垫厚胶层A；S2：在垫厚胶层A上继续旋涂厚度为0.5～5μm的光刻曝光胶层B；S3：对由垫厚胶层A和光刻曝光胶层B共同组成的双层胶进行光刻及显影，显影液同时对垫厚胶层A进行侧向腐蚀，垫厚胶层A的图形开孔尺寸大于光刻曝光胶层B的开孔尺寸，在双胶层结构上形成倒台面开孔结构；S4：通过化学气相沉积设备或磁控溅射设备淀积SiO2薄膜，淀积温度介于25～200℃之间，在光刻曝光胶层B上形成第一部分SiO2薄膜，在双层胶倒台面开孔图形中形成第二部分SiO2薄膜；S5：剥离第一部分SiO2薄膜，第二部分得到图形化的二氧化硅倾斜台面结构。

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