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龙图腾网恭喜应用材料以色列公司申请的专利在半导体样本中的侧向凹部测量获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115689980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210805887.6，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权在半导体样本中的侧向凹部测量是由M·舍马马;R·梅里;M·埃利亚索夫;L·亚龙;G·埃坦;K·奇尔科;R·比斯特里泽设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本在半导体样本中的侧向凹部测量在说明书摘要公布了：提供了一种测量在半导体样本中的侧向凹部的系统和方法，包括：获得通过收集从所述样本的表面发射的SE获取的第一图像和通过收集从所述样本的在所述表面与目标第二层之间的内部区域散射的BSE获取的第二图像，所述样本使用具有经选择以穿透到对应于所述目标第二层的深度的着陆能量的电子束进行扫描；基于所述第一图像来生成第一GL波形，并且基于所述第二图像来生成第二GL波形；基于所述第一GL波形来估计第一层的第一宽度，并且基于所述第二GL来生成相对于至少所述目标第二层的第二宽度；以及基于所述第一宽度和所述第二宽度来测量侧向凹部。

本发明授权在半导体样本中的侧向凹部测量在权利要求书中公布了：1.一种测量在半导体样本中的侧向凹部的计算机化系统，所述半导体样本包括彼此交替地沉积的第一类型的一个或多个第一层和第二类型的一个或多个第二层的堆叠，所述第二层至少部分地被蚀刻，从而在每个给定的第二层与其相邻的两个第一层之间形成侧向凹部，所述系统包括：电子束工具，所述电子束工具被配置为：使用具有经专门地选择以穿透到对应于所述样本的目标第二层的预定义深度的着陆能量的电子束来扫描所述半导体样本；以及通过收集从所述样本的表面发射的二次电子来获取第一图像，并且通过收集从所述样本的在所述表面与所述目标第二层之间的内部区域散射的背向散射电子来获取第二图像，所述第一图像提供所述样本的表面轮廓的信息，所述第二图像提供所述内部区域的内部结构的信息；以及处理和存储器电路，所述处理和存储器电路操作地连接到所述电子束工具并被配置为：生成提供所述第一图像的灰度级强度分布的信息的第一灰度级波形和提供所述第二图像的灰度级强度分布的信息的第二灰度级波形；基于所述第一灰度级波形来估计所述一个或多个第一层的第一宽度，并且基于所述第二灰度级波形来估计相对于至少所述目标第二层的第二宽度；以及基于所述第一宽度和所述第二宽度来测量相对于所述目标第二层的侧向凹部的宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料以色列公司，其通讯地址为：以色列瑞哈佛特市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。