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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211150534.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置是由耿文浩;王蓉;邵秦秦;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置，通过将包含截面的宽禁带半导体晶圆片结构检测片作为工作电极连接作为对电极的金属催化剂，并浸泡入刻蚀液，再采用特定波长的入射光照射到截面上，在所述截面上产生光生空穴‑电子对；再通过腐蚀液对所述非损伤层侧面区域进行刻蚀，而所述损伤层侧面区域不发生刻蚀，从而在刻蚀完成后根据所述截面的形态得到所述损伤层的厚度；本发明通过直接观测反应后晶圆片截面的形态，便可精确定量出宽禁带半导体晶圆片在不同加工过程中产生的损伤层厚度，从而降低宽禁带半导体材料的加工损失及加工成本。

本发明授权一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供宽禁带半导体晶圆片，在所述宽禁带半导体晶圆片两侧表面形成导电层，得到包含导电层和宽禁带半导体晶圆片的宽禁带半导体晶圆片结构；将所述宽禁带半导体晶圆片结构断开，得到包含截面的宽禁带半导体晶圆片结构检测片，其中，所述截面为解理面，且所述截面包含损伤层侧面区域和非损伤层侧面区域；将所述宽禁带半导体晶圆片结构检测片中作为工作电极的导电层连接作为对电极的金属催化剂，并将所述宽禁带半导体晶圆片结构检测片和所述金属催化剂都浸泡入刻蚀液中，其中，所述刻蚀液包含氧化剂和腐蚀液；采用波长小于宽禁带半导体晶圆片对应的吸收光波长临界值的入射光照射到所述宽禁带半导体晶圆片结构检测片的截面上，在所述截面上产生光生空穴-电子对；在照射的过程中，所述非损伤层侧面区域的光生电子沿电路富集于所述金属催化剂上与所述氧化剂发生反应，所述腐蚀液对具有光生空穴的所述非损伤层侧面区域进行刻蚀，而所述损伤层侧面区域不发生刻蚀，从而在刻蚀完成后根据所述截面的形态得到所述损伤层的厚度。

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