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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211461580.5，技术领域涉及：H01G11/86；该发明授权微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法是由王晓红;李张善昊;许明豪设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法，包括：光刻步骤，即通过光刻在基片上形成相互粘连的第一光刻胶层和第二光刻胶层，沿平行于基片的方向，第一光刻胶层的截面积小于第二光刻胶层的截面积；溅射步骤，即将钛基合金进行物理气相沉积，形成钛基合金电极；刻蚀步骤，即利用刻蚀剂对钛基合金电极进行选择性刻蚀，以去除钛基合金电极中除钛之外的其他元素，形成高深宽比多孔钛电极。该方法能够实现微型超级电容器的高深宽比多孔钛电极及其图形化，进而提升微型超级电容器的电容密度和频率性能，同时为后续可能的赝电容修饰材料提供了可观的生长点位。该方法成本较低，且具备大规模生产的潜力。

本发明授权微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法在权利要求书中公布了：1.一种微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法，其特征在于，包括：光刻步骤，在所述光刻步骤中，通过光刻在基片上形成相互粘连的第一光刻胶层和第二光刻胶层，沿平行于所述基片的方向，所述第一光刻胶层的截面积小于所述第二光刻胶层的截面积，所述第一光刻胶层形成于所述基片，所述第二光刻胶层位于所述第一光刻胶层上；溅射步骤，在所述溅射步骤中，将钛基合金进行物理气相沉积，形成钛基合金电极，所述钛基合金中，钛的质量百分比为10%至70%，所述钛基合金适于形成以所述第二光刻胶层为底的倒梯形结构以及以所述基片为底的正梯形结构；刻蚀步骤，在所述刻蚀步骤中，利用刻蚀剂对所述钛基合金电极进行选择性刻蚀，以去除所述钛基合金电极中除钛之外的其他元素，并逐渐分离为数个独立存在于光刻胶层和基片上的多孔钛电极。

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