恭喜山西大学;中国科学院金属研究所韩拯获国家专利权
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龙图腾网恭喜山西大学;中国科学院金属研究所申请的专利一种双层石墨烯逻辑反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116405019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310374765.0，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权一种双层石墨烯逻辑反相器是由韩拯;杨凯宁;王雅宁;高翔;张桐耀;叶堉;高宇辰设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层石墨烯逻辑反相器在说明书摘要公布了：本发明属于纳米材料异质结构应用技术领域，具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。为提高石墨烯晶体管的开关比，本发明在二维反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系里，借助于他们之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态，对两个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别实现P型N型场效应曲线，将其按照CMOS逻辑反相器的接线方式连接，在Vdd为0.15V的情况下，输入电压为3V至8V，实现了Vout在Vin为一定的阈值电压时发生翻转至0V的双层石墨烯CMOS逻辑反相器。为石墨烯逻辑器件的实现提供了新的道路。
本发明授权一种双层石墨烯逻辑反相器在权利要求书中公布了：1.一种双层石墨烯逻辑反相器，其特征在于，包括两个基于反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系的场效应器件，所述基于反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系的场效应器件为从上至下依次设置的上栅极、场效应器件、下栅极和基底，所述场效应器件的上层使用六方氮化硼作为电介质和封装材料，中间层使用双层石墨烯，底层为二维反铁磁绝缘体材料CrOCl；借助于CrOCl和双层石墨烯之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态，对两个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别实现P型N型场效应曲线，即分别通过固定背栅顶栅电压，改变顶栅背栅电压来实现P型场效应器件和N型场效应器件，将其按照CMOS逻辑反相器的接线方式连接。
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