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龙图腾网恭喜深圳迈睿智能科技有限公司申请的专利高增益微波多普勒探测模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111290034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010218686.7，技术领域涉及：G01V3/12；该发明授权高增益微波多普勒探测模块是由邹高迪;邹新设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高增益微波多普勒探测模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种高增益微波多普勒探测模块，其中所述高增益微波多普勒探测模块包括一电磁反射面和与所述电磁反射面相间隔地被设置的至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子具有一第一馈电端和一第二馈电端并自两所述馈电端分别延伸有一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端相互靠近，并当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于相应所述馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流与电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态而以对偶方式耦合，降低了对所述高增益微波多普勒探测模块的尺寸要求，并能够避免形成探测死区。

本发明授权高增益微波多普勒探测模块在权利要求书中公布了：1.一高增益微波多普勒探测模块，其特征在于，包括：至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ4的距离范围内相互靠近，其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ16的线长，如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线；和一电磁反射面，其中所述对偶耦合极子于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面相间隔地被设置，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ32，其中所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端相对于所述第一馈电端靠近所述电磁反射面，所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端相对于所述第二馈电端靠近所述电磁反射面。

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