恭喜信越半导体株式会社大槻刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜信越半导体株式会社申请的专利半导体基板的评价方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114270485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080059729.X,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权半导体基板的评价方法是由大槻刚设计研发完成,并于2020-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的评价方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体基板的评价方法,其评价半导体基板的电气特性,包含以下工序:在半导体基板的表面形成pn结;在晶圆卡盘上搭载半导体基板,晶圆卡盘设置有对半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置;对半导体基板表面进行预定时间的光照射;以及至少测量关闭光照射后的pn结的光照射后的产生载流子量。由此,提供一种半导体基板的评价方法,该方法在对与CCD、CMOS图像传感器等要求高成品率的产品所使用的晶圆的余像特性对应的特性进行评价时,不进行使用了工艺设备的元件的制作,在晶圆状态下也能够进行与形成实际的固体摄像元件时同样的评价。
本发明授权半导体基板的评价方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体基板的评价方法,其评价半导体基板的电气特性,其特征在于,包含以下工序:在所述半导体基板的表面形成pn结;在晶圆卡盘上搭载所述半导体基板,所述晶圆卡盘设置有对所述半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置;对所述半导体基板表面进行预定时间的光照射;以及至少测量关闭光照射后的所述pn结的光照射后的产生载流子量,在进行所述光照射的工序中,测量所述pn结的光照射中的产生载流子量,使用与进行所述光照射的装置及测量照射的光的光量的装置分开设置的载流子测量探针,进行所述光照射中的产生载流子量及所述光照射后的产生载流子量的测量,使用固体拍摄元件用的半导体基板作为所述半导体基板,根据所述光照射中的产生载流子量与所述光照射后的产生载流子量之比评价固体拍摄元件的余像特性。
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