买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜日机装株式会社申请的专利氮化物半导体紫外线发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102072.0，技术领域涉及：H10H20/817；该发明授权氮化物半导体紫外线发光元件是由平野光;长泽阳祐设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物半导体紫外线发光元件在说明书摘要公布了：氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，峰值发光波长在300nm～327nm的范围内，n型层以n型AlGaN系半导体构成，包含GaN系半导体所构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层是具有形成了平行于0001面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有包含AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域的多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域，n型层内的所述层状区域以外的n型主体区域的AlN摩尔分数在54％～66％的范围内。

本发明授权氮化物半导体紫外线发光元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体紫外线发光元件，具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部而成且峰值发光波长在300nm~327nm的范围内，所述氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于，所述n型层以n型AlGaN系半导体构成，配置于所述n型层与所述p型层之间的所述活性层具有包含GaN系半导体所构成的1层以上的阱层的量子阱构造，所述p型层以p型AlGaN系半导体构成，所述n型层与所述活性层内的各半导体层为具有形成了平行于0001面的多阶状的平台的表面的外延生长层，所述n型层具有多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在所述n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部性低的层状区域且包含AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域，与所述n型层之上表面正交的第1平面上的所述第1Ga富化区域的各延伸方向相对于所述n型层的所述上表面与所述第1平面的交线倾斜，所述n型层内的所述层状区域以外的n型主体区域的AlN摩尔分数在54%~66%的范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日机装株式会社，其通讯地址为：日本国东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。