恭喜意法半导体(鲁塞)公司F·拉罗萨获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利形成半导体器件的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915312.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体器件的结构和方法是由F·拉罗萨;S·尼埃尔;A·雷尼耶设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的结构和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及形成半导体器件的结构和方法。根据本发明的一个实施例，制造半导体器件的方法包括同时蚀刻半导体层和导电层来形成被设置在绝缘层的自对准二极管区域，其中半导体层具有第一导电类型。方法还包括穿过掩模层的第一开口进行蚀刻，以在半导体层上形成第一注入表面，并在半导体层之上形成包括导电层的导电材料的多个突起区域。方法还包括使用多个突起区域作为第一注入掩模的一部分，执行将具有第二导电类型的掺杂剂注入半导体层中的第一注入，以在半导体层中形成PN结序列，PN结序列形成二极管。二极管从半导体层的上表面竖直延伸至绝缘层。
本发明授权形成半导体器件的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：同时蚀刻半导体层和导电层来形成被设置在绝缘层上的自对准二极管区域，所述半导体层具有第一导电类型；穿过掩模层的第一开口进行蚀刻，以在所述半导体层上形成第一注入表面，并在所述半导体层之上形成多个突起区域，所述多个突起区域包括所述导电层的导电材料；以及使用所述多个突起区域作为第一注入掩模的一部分，执行将具有第二导电类型的掺杂剂注入到所述半导体层中的第一注入，以用于在所述半导体层中形成PN结序列，所述PN结序列形成二极管，所述二极管从所述半导体层的上表面垂直延伸到所述绝缘层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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