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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010923861.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由呼翔设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构的顶部上的栅极盖帽层、位于栅极结构两侧的基底中的源漏掺杂区、以及位于栅极结构侧部基底上的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂区顶部的底部介质层的源漏互连层，源漏互连层的顶面与相邻栅极盖帽层围成凹槽，用于形成源漏盖帽层；通过凹槽对栅极盖帽层的侧壁进行离子掺杂，适于提高源漏盖帽层和栅极盖帽层之间的刻蚀选择比；进行离子掺杂后，在凹槽中形成源漏盖帽层；形成覆盖栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；形成贯穿顶部介质层和源漏盖帽层的源漏接触孔；在源漏接触孔中形成源漏插塞。本发明实施例降低源漏插塞与相邻的栅极结构之间发生短接或击穿的概率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部上形成有栅极盖帽层，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，所述栅极结构和栅极盖帽层侧部的基底上形成有覆盖源漏掺杂区的底部介质层；形成贯穿所述源漏掺杂区顶部的底部介质层的源漏互连层，与所述源漏掺杂区相接触，所述源漏互连层的顶面低于所述底部介质层的顶面，所述源漏互连层的顶面与相邻所述栅极盖帽层围成凹槽，所述凹槽用于形成源漏盖帽层；通过所述凹槽，对所述栅极盖帽层的侧壁进行离子掺杂，适于提高源漏盖帽层和所述栅极盖帽层之间的刻蚀选择比；进行离子掺杂后，在所述凹槽中形成源漏盖帽层；在所述底部介质层上形成覆盖所述栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；形成贯穿所述顶部介质层和源漏盖帽层的源漏接触孔，暴露出所述源漏互连层；在所述源漏接触孔中形成与所述源漏互连层相接触的源漏插塞。

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