恭喜株式会社索思未来岩堀淳司获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社索思未来申请的专利半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069062.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法是由岩堀淳司设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法在说明书摘要公布了：标准单元C1包括栅极布线52、虚设栅极布线56、焊盘46、纳米片24以及虚设纳米片34，虚设栅极布线56形成为在栅极布线52的、位于X方向的附图右侧与栅极布线52相邻，焊盘46设在栅极布线52与虚设栅极布线56之间，纳米片24形成为与栅极布线52在俯视时重合且与焊盘46相连，虚设纳米片34形成为与虚设栅极布线56在俯视时重合且与焊盘46相连。
本发明授权半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路装置，包括第一标准单元和第二标准单元，其特征在于：所述第一标准单元和所述第二标准单元沿第一方向排列布置，所述第一标准单元包括第一栅极布线、第一虚设栅极布线、第一焊盘、第一纳米片以及第一虚设纳米片，所述第一虚设栅极布线形成为在所述第一栅极布线的、位于所述第一方向的所述第二标准单元侧与所述第一栅极布线相邻，所述第一焊盘设在所述第一栅极布线与所述第一虚设栅极布线之间，所述第一纳米片形成为与所述第一栅极布线在俯视时重合且与所述第一焊盘相连，所述第一虚设纳米片形成为与所述第一虚设栅极布线在俯视时重合且与所述第一焊盘相连，所述第二标准单元包括第二栅极布线、第二虚设栅极布线以及第二焊盘，所述第二虚设栅极布线形成为在所述第二栅极布线的、位于所述第一方向的所述第一标准单元侧与所述第二栅极布线相邻且形成为与所述第一虚设栅极布线相邻，所述第二焊盘设在所述第二栅极布线与所述第二虚设栅极布线之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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