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龙图腾网恭喜戴森技术有限公司申请的专利用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114868224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089400.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备是由M.伦达尔;R.格鲁亚设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备在说明书摘要公布了：公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区。该设备包括在使用中用于产生等离子体的天线装置和限制装置。限制装置包括天线装置和沉积区之间的第一元件以及第二元件。天线装置位于第二元件和沉积区之间。第一元件在使用中将等离子体限制成朝向沉积区，以提供靶材料到基底的溅射沉积。第二元件在使用中将等离子体限制成远离第二元件，朝向天线装置，并且经由第一元件朝向沉积区。

本发明授权用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备，该设备包括：基底部分，在使用中在基底部分中提供基底；靶部分，其与基底部分隔开并且在使用中在靶部分中提供靶材料，靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区；天线装置，其包括至少一个天线，用于在使用中驱动交流电通过天线时产生等离子体；限制装置，包括：至少一个第一元件，其设置在天线装置和沉积区之间，并且布置成在使用中将来自天线装置的等离子体限制成朝向沉积区，从而在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积；以及至少一个第二元件，其设置成使得天线装置位于至少一个第二元件和沉积区之间，并且布置成在使用中将等离子体限制成远离第二元件，朝向天线装置，并且由此经由至少一个第一元件朝向沉积区，其中，至少一个所述第二元件是静电元件，其可控制为提供电场，以至少在所述第一元件和第二元件中间的体积中将至少一部分等离子体从静电元件朝向所述天线装置排斥，并由此经由第一元件朝向所述沉积区排斥。

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