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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011585514.X，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权存储器元件及其制造方法是由郑宸语;韩宗廷设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种存储器元件及其制造方法，其中，存储器元件包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区；叠层结构，位于所述存储阵列区中的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；第一阶梯结构，位于所述阶梯区中的所述基底上，其中所述第一阶梯结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；以及第二阶梯结构的第一部分，位于所述字线切割区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第一部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层，且相邻的两个区块的两个第二阶梯结构的两个第一部分彼此分隔。

本发明授权存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，其特征在于，包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区，其中所述存储阵列区位于所述阶梯区与所述字线切割区之间；叠层结构，位于所述存储阵列区中的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；第一阶梯结构，位于所述阶梯区中的所述基底上，其中所述第一阶梯结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；以及第二阶梯结构的第一部分，位于所述字线切割区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第一部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层，且相邻的两个所述区块的两个第二阶梯结构的两个第一部分彼此分隔；其中，所述基底还包括周边区，所述字线切割区位于存储阵列区与所述周边区之间；以及所述第二阶梯结构的第二部分，位于所述周边区中的所述基底上，其中所述第二阶梯结构的所述第二部分包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个第二绝缘层；所述第一阶梯结构的所述多个导体层连接所述叠层结构的所述多个导体层以及所述第二阶梯结构的所述第一部分的所述多个导体层，且与所述第二阶梯结构的所述第二部分的所述多个第二绝缘层彼此分离，且所述第二阶梯结构的所述第一部分与所述第二阶梯结构的所述第二部分被具有反阶梯结构的介电层分离，且所述具有反阶梯结构的所述介电层在所述多个区块连续延伸。

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