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龙图腾网恭喜苏州科阳半导体有限公司申请的专利一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112624035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011612118.1，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构是由吉萍;李永智;吕军;金科;赖芳奇设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，属于MEMS器件的封装技术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装方法包括，硅本体的端面上设有氧化硅层，在氧化硅层的端面上设置第一金属层，第一金属层设置在载体上；沿第二预设区的外周去除硅本体及氧化硅层的材料，使第一金属层背离载体的端面露出；在第三预设区设置第二金属层，第二金属层与第一金属层接触连接；MEMS晶圆与第二金属层粘接；去除载体，ASIC芯片与第一金属层粘接，在第一金属层上焊锡。所述MEMS器件的晶圆级封装结构通过上述的封装方法制成。本发明的MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，结构体积小，生产成本低，生产效率高。

本发明授权一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，包括硅本体（102）的下端面上设有氧化硅层（101），在所述氧化硅层（101）的下端面上设置第一预设区，所述第一预设区上设置第一金属层（103），根据电路走线设计需要，在所述第一金属层（103）上涂覆光刻胶层（104），之后进行曝光显影，制作出匹配电路走线的光阻图案，所述光阻图案对应的位置为第一预设区，将带有光阻图案的所述第一金属层（103）进行刻蚀，刻蚀之后去除辅助作用的所述光刻胶层（104）光阻，设置载体（106）之前还包括，在第五预设区的外周和第六预设区的外周设置第一树脂胶层（105），所述第一树脂层（105）通过胶水层（107）设置在载体（106）上；在所述硅本体（102）背离所述氧化硅层（101）的一端的端面上设置第二预设区，沿第二预设区的外周去除所述硅本体（102）及所述氧化硅层（101）的材料，使所述第一金属层（103）背离所述载体（106）的端面露出；在所述硅本体（102）的所述第二预设区表面及露出的所述第一金属层（103）的端面上设置第三预设区，在所述第三预设区设置第二金属层（109），所述第二金属层（109）与所述第一金属层（103）接触连接；在所述第二金属层（109）上的第四预设区设置焊接凸点（111），形成带有所述载体（106）的转接体；MEMS晶圆（2）与所述第二金属层（109）粘接，所述焊接凸点（111）与所述MEMS晶圆（2）上的第一导电柱一一对应设置；去除所述载体（106），所述第一树脂层（105）设置在第五预设区和第六预设区的外周，ASIC芯片（3）与所述第一金属层（103）粘接，所述ASIC芯片（3）上的第二导电柱（301）与所述第一金属层（103）上的所述第五预设区连接；在所述第一金属层（103）上的所述第六预设区焊锡，形成MEMS器件的晶圆级封装结构（1000）。

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