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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110083887.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权存储器器件及其制造方法是由庄学理;王宏烵;陈胜昌;黄胜煌设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例针对一种存储器器件及其制造方法，所述存储器器件包括在侧向上包围存储单元的保护性侧壁间隔壁层。上部层间介电ILD层上覆在衬底之上。存储单元设置在上部ILD层内。存储单元包括顶部电极、底部电极及设置在顶部电极与底部电极之间的磁隧道结MTJ结构。侧壁间隔壁结构在侧向上环绕存储单元。侧壁间隔壁结构包括第一侧壁间隔壁层、第二侧壁间隔壁层及保护性侧壁间隔壁层。第一侧壁间隔壁层及第二侧壁间隔壁层包含第一材料，且保护性侧壁间隔壁层包含与第一材料不同的第二材料。导电走线上覆在第一存储单元之上。导电走线接触顶部电极及保护性侧壁间隔壁层。

本发明授权存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，其特征在于包括：上部层间介电层，上覆在衬底；第一存储单元，设置在所述上部层间介电层内，其中所述第一存储单元包括顶部电极、底部电极及设置在所述顶部电极与所述底部电极之间的磁隧道结结构；侧壁间隔壁结构，在侧向上环绕所述第一存储单元，其中所述侧壁间隔壁结构包括第一侧壁间隔壁层、第二侧壁间隔壁层及设置在所述第一侧壁间隔壁层与所述第二侧壁间隔壁层之间的保护性侧壁间隔壁层，其中所述第一侧壁间隔壁层及所述第二侧壁间隔壁层包含第一材料，且所述保护性侧壁间隔壁层包含与所述第一材料不同的第二材料；以及导电走线，上覆在所述第一存储单元，其中所述导电走线直接接触所述顶部电极的顶表面，直接接触所述保护性侧壁间隔壁层的顶表面，且直接接触所述第二侧壁间隔壁层，所述保护性侧壁间隔壁层设置在所述底部电极的顶表面与所述第二侧壁间隔壁层的下表面之间。

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