恭喜英飞凌科技股份有限公司A·韦迪获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110115893.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法是由A·韦迪;C·埃勒斯;A·昂劳设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件包括：管芯载体；功率半导体芯片，该功率半导体芯片通过第一焊料接头耦合到管芯载体；用于引脚的套管，该套管通过第二焊料接头耦合到管芯载体；以及密封件，该密封件将套管机械地附接到管芯载体，密封件布置在套管的下端处，其中，该下端面对管芯载体，并且其中，该密封件不覆盖功率半导体芯片。
本发明授权功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括：管芯载体，功率半导体芯片，所述功率半导体芯片通过第一焊料接头耦合到所述管芯载体，用于引脚的套管，所述套管通过第二焊料接头耦合到所述管芯载体，密封件，所述密封件将所述套管机械地附接到所述管芯载体，所述密封件布置在所述套管的下端处，其中，所述下端面对所述管芯载体，并且其中，所述密封件不覆盖所述功率半导体芯片，以及包封剂，所述包封剂包封所述功率半导体芯片，其中，所述包封剂具有与所述密封件不同的材料成分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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