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龙图腾网恭喜北京昌龙智芯半导体有限公司申请的专利一种半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110126880.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体功率器件及其制备方法是由金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志设计研发完成，并于2021-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，其包括基板，所述基板正面设有外延层，背面设有漏极金属电极；所述外延层上设有多个沟槽，所述外延层上方设有源极N+型结，所述外延层以及源极N+型结上方设有间层绝缘膜；所述间层绝缘膜上设有源极金属电极和栅极金属电极；所述源极金属电极穿过间隔绝缘膜和源极N+型结后与第一沟槽和第三沟槽内的硅酸乙酯接触；所述栅极电极穿过间层绝缘膜与第四沟槽内多晶态栅极接触。本发明制备TDMOS器件时，器件尺寸较小，减小n型柱区域的尺寸，有利于降低器件的通态电阻。

本发明授权一种半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件，其特征在于：包括基板，所述基板正面设有外延层，背面设有漏极金属电极；所述外延层上设有第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽，所述第二沟槽位于第一沟槽和第三沟槽之间，所述第三沟槽位于第二沟槽与第四沟槽之前，所述第四沟槽位于第三沟槽和第五沟槽之间；所述第二沟槽和第四沟槽外周设有P-型井，内侧壁设有栅极氧化膜，内部填充有多晶态栅极；所述第四沟槽内的多晶态栅极从第四沟槽延伸至第四沟槽外并位于外延层上方；所述第一沟槽、第三沟槽和第五沟槽的外周设有P+型区域和P型柱区域，所述P+型区域位于沟槽上部，所述P型柱区域位于沟槽下部；所述第一沟槽、第三沟槽和第五沟槽内侧壁设有掺杂质外延膜，内部填充有硅酸乙酯，形成TEOS膜；所述第一沟槽和第二沟槽之前形成N型柱区域；所述外延层上方设有源极N+型结，所述外延层以及源极N+型结上方设有间层绝缘膜；所述间层绝缘膜上设有源极金属电极和栅极金属电极；所述源极金属电极穿过间隔绝缘膜和源极N+型结后与第一沟槽和第三沟槽内的TEOS膜接触；所述栅极金属电极穿过间层绝缘膜与第四沟槽内多晶态栅极接触。

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