恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈国儒获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利连接结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110373397.9，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权连接结构及其形成方法是由陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本连接结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及连接结构及其形成方法。一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。
本发明授权连接结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种连接结构，包括：第一电介质层，设置在导电特征之上；第二电介质层，设置在所述第一电介质层之上；掺杂电介质层，设置在所述第一电介质层之上；以及金属特征，设置在所述第一电介质层和所述掺杂电介质层中，其中，所述掺杂电介质层向所述金属特征施加压缩应力，其中，所述金属特征与所述导电特征、所述掺杂电介质层和所述第一电介质层接触，其中，所述金属特征的顶表面和所述掺杂电介质层的顶表面对准，其中，所述第一电介质层包括第一电介质材料，并且所述掺杂电介质层的至少一部分包括与所述第一电介质材料不同的第二电介质材料，所述第二电介质层包括所述第二电介质材料，并且所述第二电介质层没有所述掺杂电介质层的掺杂剂。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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