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龙图腾网恭喜中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114563675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110428993.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法是由付志伟;侯波;陈思;周斌;王之哲;杨晓锋;黄云;施宜军;梁振堂;徐及乐设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiCMOSFET热阻测量的精确度。

本发明授权碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，其特征在于，包括：对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管进行通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻，其中，对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压包括：在所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和源极之间加载固定负压Vgs，在漏极和源极之间加载负脉冲电压Vds；绘制不同负压Vgs条件下的所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极的Ids-Vds特性曲线；选取所述Ids-Vds特性曲线中多条曲线重合时，负压Vgs的绝对值为最小值时的负压Vgs作为所述偏置电压，所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管安装于测试夹具，且所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极采用开尔文连接；所述负脉冲电压Vds的脉冲占空比小于等于0.5%。

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