恭喜格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司A·扎卡获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司申请的专利高电压应用中的浮栅器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110585500.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权高电压应用中的浮栅器件是由A·扎卡;T·赫尔曼;F·施拉普霍夫;吴楠设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压应用中的浮栅器件在说明书摘要公布了：本发明涉及高电压应用中的浮栅器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及浮栅器件及制造方法。该结构包括：栅极结构，其包括栅极电介质材料和栅电极；以及垂直堆叠的电容器，其位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接。
本发明授权高电压应用中的浮栅器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：浮栅结构，其包括栅极电介质材料和栅电极；层级间电介质材料，位于所述浮栅结构上方；垂直堆叠的电容器，其位于所述层级间电介质材料中并位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接，其中所述垂直堆叠的电容器包括垂直堆叠的多个布线层，所述多个布线层通过两个邻近的布线层之间的氮化物材料层分离，所述多个布线层中的每一个包括通过所述层级间电介质材料分离的多个指状物；互连结构，位于所述层级间电介质材料中并将所述垂直堆叠的电容器连接到所述浮栅结构；以及抬升的源区和漏区，位于所述浮栅结构的侧面并位于半导体衬底之上；侧壁间隔物，位于所述浮栅结构的侧壁上并将所述浮栅结构与所述抬升的源区和漏区分离，其中所述垂直堆叠的电容器的所述多个布线层和将所述多个布线层的最下布线层连接到所述栅电极的所述互连结构被限制在所述栅电极的边缘内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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