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龙图腾网恭喜国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司;国家电网有限公司申请的专利一种基于忆阻的一位二进制加法器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114244349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111477682.1，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权一种基于忆阻的一位二进制加法器电路是由顾海林;胡畔;王丽霞;李伟;冉冉;高强;刘晓强;刘育博;崔益军;周俊设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻的一位二进制加法器电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于忆阻的一位二进制加法器电路，包括：多个与门，或门以及互补金属氧化物半导体反相器，多个所述与门以及或门是基于忆阻的，通过将相应的互补金属氧化物半导体反相器，与相应的与门、或门以及电路的输入输出端点相连接，来提高线性忆阻器件的速度，缩小体积，降低功耗，提高逻辑密度，可以为处理器和其他计算电路提供更强的计算能力。

本发明授权一种基于忆阻的一位二进制加法器电路在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻的一位二进制加法器电路，其特征在于，包括：多个与门，或门以及互补金属氧化物半导体反相器，多个所述与门以及或门是基于忆阻的；所述互补金属氧化物半导体反相器包括第一互补金属氧化物半导体反相器U1,第二互补金属氧化物半导体反相器U2，第三互补金属氧化物半导体反相器U3，第四互补金属氧化物半导体反相器U4；所述与门包括第一与门Y1，第二与门Y2，第三与门Y3，第四与门Y4，第五与门Y5以及第六与门Y6，所述或门包括第一或门H1，第二或门H2以及第三或门H3；所述第一互补金属氧化物半导体反相器U1的输入端与加数输入端相连，所述第二互补金属氧化物半导体反相器U2的输入端与被加数输入端相连，所述第一与门Y1的第一输入端连接所述第一互补金属氧化物半导体反相器U1的输出端，所述第一与门Y1的第二输入端连接所述第二互补金属氧化物半导体反相器U2的输入端，所述第二与门Y2的第一输入端连接所述第一互补金属氧化物半导体反相器U1的输入端，所述第二与门Y2的第二输入端连接所述第二互补金属氧化物半导体反相器U2的输出端，所述第一或门H1的第一输入端连接所述第一与门Y1的输出端，所述第一或门H1的第二输入端连接所述第二与门Y2的输出端；所述第三互补金属氧化物半导体反相器U3的输入端连接所述第一或门H1的输出端，所述第四互补金属氧化物半导体反相器U4的输入端连接进位输入端，所述第三与门Y3的第一输入端与所述第三互补金属氧化物半导体反相器U3的输出端连接，所述第三与门Y3的第二输入端与所述进位输入端连接，所述第四与门Y4的第一输入端与所述第三互补金属氧化物半导体反相器U3的输入端连接，所述第四与门Y4的第二输入端与所述第四互补金属氧化物半导体反相器U4的输出端连接，所述第二或门H2的第一输入端连接所述第三与门Y3的输出端，所述第二或门H2的第二输入端连接所述第四与门Y4的输出端；所述第五与门Y5的第一输入端连接所述第一或门H1的输出端，所述第五与门Y5的第二输入端连接所述进位输入端，所述第六与门Y6的第一输入端连接所述的第一输入端连接所述第一互补金属氧化物半导体反相器U1的输入端，所述第六与门Y6的第二输入端连接所述第二互补金属氧化物半导体反相器U2的输入端。

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