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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利多级沟槽肖特基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111667374.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权多级沟槽肖特基二极管及其制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本多级沟槽肖特基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多级沟槽肖特基二极管及其制作方法，肖特基二极管包括：外延片，包括半导体基底以及位于半导体基底表面上的外延层；设置在外延层背离半导体基底一侧的深沟槽，包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；第一方向为深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离深沟槽底部的子沟槽的宽度；深沟槽的侧壁以及底部具有掺杂层；外延层背离半导体基底一侧表面内具有包围深沟槽开口的电场缓冲区，与掺杂层接触；位于半导体基底背离外延层一侧的阴极；位于深沟槽内的填充结构以及阳极，填充结构位于阳极与深沟槽的底部之间；掺杂层以及电场缓冲区均是与外延层反型掺杂。

本发明授权多级沟槽肖特基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括：外延片，所述外延片包括半导体基底以及位于所述半导体基底表面上的外延层；设置在所述外延层背离所述半导体基底一侧的深沟槽；所述深沟槽包括在第一方向上依次排布的多个子沟槽；所述第一方向为所述深沟槽的开口指向底部的方向；相邻的两个子沟槽中，靠近所述深沟槽底部的子沟槽的宽度小于远离所述深沟槽底部的子沟槽的宽度；所述深沟槽的侧壁以及底部具有掺杂层；所述外延层背离所述半导体基底一侧表面内具有包围所述深沟槽开口的电场缓冲区，所述电场缓冲区与所述掺杂层接触；位于所述半导体基底背离所述外延层一侧的阴极；位于所述深沟槽内的填充结构以及阳极，所述填充结构位于所述阳极与所述深沟槽的底部之间；其中，所述掺杂层以及所述电场缓冲区均是与所述外延层反型掺杂；在所述第一方向上，所述深沟槽包括：第一部分深沟槽和第二部分深沟槽；所述阳极填充所述第一部分深沟槽，与所述第一部分深沟槽的侧壁欧姆接触，所述阳极还延伸至所述深沟槽的外部，覆盖所述外延层背离所述半导体基底的部分表面；所述填充结构填充所述第二部分深沟槽；所述深沟槽具有n个所述子沟槽，n为大于1的正整数；在所述第一方向上，所述第一部分深沟槽至少包括前n-1个子沟槽；在所述第一方向上，所述第一部分深沟槽还包括部分第n个子沟槽。

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