恭喜中山大学江灏获国家专利权
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龙图腾网恭喜中山大学申请的专利一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210267283.0，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法是由江灏;孙悦;卢家冰;吕泽升设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低阻高反射欧姆接触电极，包括p型半导体晶片，所述p型半导体晶片上沉积有金属电极层；还包括依次沉积于p型半导体晶片表面的第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层，所述第一金属银层与p型半导体晶片上的金属电极层接触。本发明还公开了一种低阻高反射欧姆接触电极的制备方法。本发明采用金属银‑金属镍‑金属银薄膜叠层形成低阻、高光透射率的欧姆接触，并与铝膜结合，以制备欧姆接触电极，具有制备方法简单、电导率高、欧姆接触电阻率低、反射率高的有益效果。
本发明授权一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低阻高反射欧姆接触电极，包括p型半导体晶片，所述p型半导体晶片上沉积有金属电极层；其特征在于，还包括依次沉积于p型半导体晶片表面的第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层，所述第一金属银层与p型半导体晶片上的金属电极层接触；所述第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层的厚度范围依次为：0.5-1.5nm、1-2nm、3-5nm和10-1000nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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