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龙图腾网恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210424500.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由汪涛;钱海蛟;赵立星;陈亮;刘泽旭;毛金翔;张冠永;陆文涛;柳泉洲;李响;张嘉;曲峰设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其中，阵列基板包括：晶体管结构层，所述晶体管结构层包括晶体管区域和非晶体管区域；所述晶体管区域内包括晶体管；晶体管区域内还包括光线阻隔图案，光线阻隔图案在阵列基板上的正投影与晶体管的有源图案在阵列基板上的正投影至少部分重叠。上述方案，由于在晶体管区域内形成了光线阻隔图案，该光线阻隔图案可以对晶体管进行光线阻隔保护，也即，该光线阻隔图案可以阻止或降低进入到晶体管内光线的光强，使得晶体管的有源层不发生光电效应，解决了因光线进入到晶体管内，使晶体管的有源层发生光电效应，造成有源层中载流子浓度迅速上升，沟道电流增大，导致晶体管无法完全关闭的问题。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：晶体管结构层，所述晶体管结构层包括晶体管区域和非晶体管区域；所述晶体管区域内包括晶体管；所述晶体管区域内还包括光线阻隔图案，所述光线阻隔图案在所述阵列基板上的正投影与所述晶体管的有源图案在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠；所述非晶体管区域包括第一透明电极图案，所述光线阻隔图案及所述第一透明电极图案同层设置，且，所述光线阻隔图案的光透过率小于所述第一透明电极图案的光透过率；还包括第一栅极图案以及与所述第一栅极图案同层设置的第二栅极图案，所述第一栅极图案背离所述有源图案的一侧设置有第一透明电极层，所述第一透明电极层包括第二透明电极图案和第三透明电极图案；所述晶体管结构层还包括过孔，所述过孔内设置有导电件，所述光线阻隔图案与所述第二栅极图案通过所述导电件电连接；所述第三透明电极图案与所述第一栅极图案电连接，所述第二透明电极图案与所述第二栅极图案电连接。

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