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龙图腾网恭喜广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210458965.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法是由蒙艳红设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，阵列基板包括基板；包括第一电极和第二电极的第一电极层，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一、第二电容的电容大小不同。本申请通过在阵列基板不同显示区域设置不同电容大小的电容，以控制不同显示区域的驱动电压，进而控制不同显示区域的液晶偏转角度，实现对不同视角的画面的调节。

本发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，所述阵列基板包括：基板；第一电极层，所述第一电极层不完全覆盖所述基板，所述第一电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区域，所述第二电极位于所述第二显示区域；第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层上方，所述第二电极层包括第三电极和第四电极，所述第三电极位于所述第一显示区域且通过第一过孔与所述第一电极连接，所述第四电极位于所述第二显示区域且通过第二过孔与所述第二电极连接；其中，所述第一电极和所述第三电极组成第一电容，所述第二电极和所述第四电极组成第二电容，所述第一电容和所述第二电容的电容大小不同；所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第一电极层上方，且所述第一钝化层完全覆盖所述第一电极层，所述第一钝化层上设置第三过孔和第四过孔，所述第三过孔位于所述第一显示区域中的第一电极上方，所述第四过孔位于所述第二显示区域中的第二电极上方；其中，所述第三过孔为所述第一过孔在所述第一钝化层上形成的过孔，所述第四过孔为所述第二过孔在所述第一钝化层上形成的过孔；所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上方，所述第二钝化层完全覆盖所述第一钝化层，且所述第二钝化层上设置有第五过孔和第六过孔，所述第五过孔位于所述第一显示区域中所述第三过孔上方，所述第六过孔位于所述第二显示区域中所述第四过孔的上方；所述第三电极位于所述第三过孔和所述第五过孔内部，以及所述第二钝化层上方靠近所述第五过孔的部分区域；其中，所述第五过孔为所述第一过孔在所述第二钝化层上形成的过孔，所述第六过孔为所述第二过孔在所述第二钝化层上形成的过孔。

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