恭喜武汉华星光电技术有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210538672.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置是由罗成志设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底；有源层，设置于衬底的一侧，有源层包括源漏极搭接区；源漏电极，设置于有源层的远离衬底的一侧，且在源漏极搭接区与有源层电连接；其中，源漏电极包括靠近有源层设置的第一导电层、设置于第一导电层的远离有源层一侧的第三导电层、以及设置于第一导电层与第三导电层之间的第二导电层，第二导电层的光反射率大于第一导电层的光反射率，且第二导电层的光反射率大于第三导电层的光反射率，第一导电层在衬底上的正投影区域小于第二导电层在衬底上的正投影区域。本申请在保证源漏电极与有源层电连接关系的基础上，提高阵列基板的反光率。
本发明授权阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置于所述衬底的一侧，所述有源层包括源漏极搭接区；源漏电极，设置于所述有源层的远离所述衬底的一侧，且在所述源漏极搭接区与所述有源层电连接；其中，所述源漏电极包括靠近所述有源层设置的第一导电层、设置于所述第一导电层的远离所述有源层一侧的第三导电层、以及设置于所述第一导电层与所述第三导电层之间的第二导电层，所述第二导电层的光反射率大于所述第一导电层的光反射率，且所述第二导电层的光反射率大于所述第三导电层的光反射率，所述第一导电层在所述衬底上的正投影区域小于所述第二导电层在所述衬底上的正投影区域；所述第二导电层在衬底上的正投影区域位于所述第三导电层在衬底上的正投影区域内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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