恭喜惠科股份有限公司蒲洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜惠科股份有限公司申请的专利LED的弱化结构的制作方法及弱化结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115116923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210722645.0,技术领域涉及:H01L21/683;该发明授权LED的弱化结构的制作方法及弱化结构是由蒲洋;袁海江设计研发完成,并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED的弱化结构的制作方法及弱化结构在说明书摘要公布了:本申请涉及显示技术领域,提供一种LED的弱化结构的制作方法及弱化结构,制作方法包括:在生长基板上制备多个LED,在暂态基板的一个表面形成粘附层,将生长基板生长有LED的表面与暂态基板具有粘附层的表面相贴合,剥离各LED的生长基板,刻蚀多个LED中目标LED所在区域的粘附层形成与目标LED对应的弱化结构;使得目标LED与其余LED具有不同的弱化结构,进而无需采用印章化的转移头进行选择性拾取,从而降低了巨量转移LED的成本。
本发明授权LED的弱化结构的制作方法及弱化结构在权利要求书中公布了:1.一种LED的弱化结构的制作方法,包括:在生长基板的一个表面制备多个LED;在暂态基板的一个表面形成粘附层;将所述生长基板生长有所述LED的表面与所述暂态基板具有所述粘附层的表面相贴合;剥离各所述LED的所述生长基板;刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层,降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力,形成与所述目标LED对应的弱化结构;所述刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层,降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力,形成与所述目标LED对应的弱化结构,包括:采用具有多个透过率的掩膜对所述目标LED所在区域的粘附层进行光刻刻蚀;调节所述光刻刻蚀的工艺参数,将所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力降低至预设粘附力,形成与所述目标LED对应的弱化结构,其中,所述工艺参数包括显影液浓度、显影时间中至少一种;所述预设粘附力满足以下条件:F1<F2<F3其中,F1为所述目标LED所在区域的粘附层对所述目标LED的第一粘附力;F2为转移头对所述目标LED的第二粘附力;F3为所述目标LED之外区域的所述粘附层对所述多个LED中除所述目标LED之外的其他LED的第三粘附力。
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