恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司顾昊元获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806645.9，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法是由顾昊元;蔡晨;李亮设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法，用现有工艺在衬底上形成栅极沟槽、肖特基沟槽、屏蔽电极、隔离介质层，并生长栅氧化层；采用光刻工艺去除肖特基区域沟槽侧壁及其衬底表面的栅氧化层；在衬底表面二次生长栅氧化层；淀积多晶硅，并回刻至衬底表面；对衬底进行离子注入形成体区；采用干法刻蚀工艺将衬底表面的栅氧化层全部刻蚀掉；利用炉管氧化热处理进行本体推陷以产生厚度一致的氧化膜层；对衬底进行离子注入形成源区，并利用炉管热处理进行源区推陷。本发明将衬底表面栅氧化层刻蚀光，再进行带氧化体区的炉管热处理推陷，从而控制源区注入前的氧化膜厚度，使肖特基和MOS管的源区注入深度一致，进而改善器件的漏电。
本发明授权一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成肖特基二极管的屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、用现有工艺在衬底上形成栅极沟槽、肖特基沟槽、屏蔽电极、隔离介质层，并生长栅氧化层；步骤二、采用光刻工艺去除肖特基区域沟槽侧壁及其衬底表面的栅氧化层；步骤三、在所述衬底表面二次生长栅氧化层；步骤四、淀积多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻至衬底表面；步骤五、对所述衬底进行离子注入形成体区；步骤六、采用干法刻蚀工艺将衬底表面的栅氧化层全部刻蚀掉；步骤七、利用炉管氧化热处理进行本体推陷以产生厚度一致的氧化膜层；步骤八、对所述衬底进行离子注入形成源区，并利用炉管热处理进行源区推陷。
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