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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986695.X，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法是由黄建;钟玉杰;向华兵;杨修伟;袁安波;姜华男;廖乃镘设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法，包括在硅片表面生长一多晶硅层，多晶硅层形成有一具有第一粗糙度的初始表面；对多晶硅层进行掺杂、氧化工艺，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅层，得到刻蚀掩膜结构；利用刻蚀掩膜结构同步刻蚀二氧化硅层及硅片的衬底，将刻蚀掩膜结构按照预设比例转移至衬底上，形成黑硅微结构，工艺简单，成本低，制备过程对设备的硬件要求低，有利于批量化生产并且与硅光电器件工艺兼容性好，制备的黑硅微纳结构精细化程度适中，近红外吸收效果好。

本发明授权多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：生长多晶硅层：在硅片表面生长一多晶硅层，其中，所述多晶硅层形成有一具有第一粗糙度的初始表面；多晶硅层预处理：对多晶硅层进行掺杂、氧化工艺，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅层，得到刻蚀掩膜结构；其中，在多晶硅层中注入或掺杂预设剂量的杂质，所述杂质的掺杂剂量为1018cm-3～1022cm-3，掺杂气体为N2POCl3O2，掺杂气体气压为100mtorr～800mtorr，掺杂温度为800℃～1100℃，掺杂时间为60min～80min；黑硅微结构刻蚀转移成型：利用所述刻蚀掩膜结构同步刻蚀二氧化硅层及硅片的衬底，将刻蚀掩膜结构按照预设比例转移至衬底上，形成黑硅微结构；其中，刻蚀气压为30mtorr～300mtorr，刻蚀时DC功率为60w～500w，磁场强度为20Gauss～100Gauss，刻蚀温度为0℃～200℃。

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