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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139514.6，技术领域涉及：H10B53/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由丁甲;张继伟;胡林辉;黄永彬设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括第一层间介质层及位于所述第一层间介质层中的第一金属层的半导体层；形成水平方向上间隔的至少一第一导电柱及至少一第二导电柱于第一层间介质层内；形成凹槽于第一层间介质层内使第二导电柱的顶面低于第一导电柱的顶面；基于凹槽形成存储单元于第二导电柱上方；形成第三导电柱于存储单元上方；形成第二金属层于第一导电柱及第三导电柱上方。本发明的制作方法能够避免在不形成存储单元的区域实施两层通孔堆叠的工艺过程，增大套刻对准工艺窗口的同时能够避免一次完成不同深度的通孔刻蚀带来的贯穿风险。本发明还提供一种具有较好的性能稳定性和使用安全性的半导体结构。

本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层，所述半导体层包括第一层间介质层及位于所述第一层间介质层中的第一金属层；形成至少一第一接触孔及至少一第二接触孔于所述第一层间介质层内，所述第一接触孔与所述第二接触孔在水平方向上间隔设置，所述第一接触孔及所述第二接触孔均自所述第一层间介质层的顶面开口并延伸至所述第一金属层的上表面；向所述第一接触孔及所述第二接触孔内填充导电材料以得到位于所述第一接触孔中的第一导电柱及位于所述第二接触孔中的第二导电柱；形成掩膜层于所述第一层间介质层上并图形化以得到贯穿所述掩膜层的开口，所述开口显露所述第二导电柱及至少一部分所述层间介质层；基于具有所述开口的所述掩膜层刻蚀所述第一层间介质层及所述第二导电柱以得到凹槽，并使所述第二导电柱的顶面低于所述第一导电柱的顶面为预设长度；形成存储单元于所述第二导电柱上方，所述存储单元与所述第二导电柱电连接；形成第三导电柱于所述存储单元上方，所述第三导电柱与所述存储单元电连接，包括以下步骤：形成绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述第一层间介质层、所述第一导电柱及所述存储单元的裸露表面；形成第二层间介质层于所述绝缘保护层，所述第二层间介质层还填充进所述凹槽中；平坦化所述第二层间介质层以去除所述凹槽外的所述第二层间介质层；形成第三接触孔，所述第三接触孔依次贯穿所述第二层间介质层及所述绝缘保护层；向所述第三接触孔内填充导电材料以得到所述第三导电柱；形成第二金属层于所述第一导电柱及所述第三导电柱上方，所述第二金属层与所述第一导电柱及所述第三导电柱电连接。

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