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龙图腾网恭喜武汉光谷量子技术有限公司申请的专利用于SPAD的接触层及其制备方法，以及一种SPAD及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211144013.7，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权用于SPAD的接触层及其制备方法，以及一种SPAD及其制备方法是由熊祎灵;曾磊设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于SPAD的接触层及其制备方法，以及一种SPAD及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于单光子雪崩光电二极管SPAD的接触层，其为由外延晶圆的阻挡层上表面、从两侧向中间逐级向下凹陷形成的N级同轴对称台阶结构。本发明还涉及一种用于SPAD的接触层的制备方法，其包括：对外延晶圆的阻挡层进行N次刻蚀得到接触层。本发明提供的接触层的厚度从两侧向中间逐渐减小，使得SPAD在完成pn结的制备过程中，只需要一次锌扩散就能够得到有源区边缘扩散深度小于中间区域且曲率半径更大的锌扩散形貌，从而实现在有效防止边缘预先击穿的同时，增强横向电场分量，减少电荷持续效应对SPAD的单光子性能的影响。此外，本发明还涉及一种SPAD及其制备方法。

本发明授权用于SPAD的接触层及其制备方法，以及一种SPAD及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于单光子雪崩光电二极管SPAD的接触层的制备方法，其特征在于，所述接触层为由外延晶圆的阻挡层上表面、从两侧向中间逐级向下凹陷形成的N级同轴对称台阶结构；其中，N≥3；所述制备方法包括：对外延晶圆的阻挡层进行N次刻蚀得到接触层；所述制备方法具体包括如下步骤：在阻挡层表面制作掩膜窗口，以对阻挡层进行刻蚀，形成含有一级同轴对称台阶的接触层；将每次所得接触层作为阻挡层，重复上述步骤制作掩膜窗口并刻蚀，直至形成含有N级同轴对称台阶的接触层；其中，后一次掩膜窗口的直径小于前一次掩膜窗口的直径；所述阻挡层的材料为由多种不同组成的In1-xGaxAsyP1-y上下层叠形成的复合材料；其中，y值从上至下逐渐减小，相邻两层的y值之差≥0.2；0≤x≤1，0≤y≤1。

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