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恭喜兰州理工大学冯辉霞获国家专利权

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龙图腾网恭喜兰州理工大学申请的专利一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115831622B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211151690.1,技术领域涉及:H01G11/24;该发明授权一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用是由冯辉霞;冉晶;杨万鹏;谷一鸣;候家瑞;赵霞;雒和明;谭琳;梁思婕;杨世霞设计研发完成,并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明提供了一种MCo2O4@MoS2RGO电极材料及其制备方法和应用,属于电极材料制备技术领域;在本发明中,首先将MoS2和RGO复合制备出MoS2RGO,然后将MoS2RGO和MCo2O4复合制备出MCo2O4@MoS2RGO电极材料;所述MCo2O4@MoS2RGO电极材料的制备方法简单、高效、低成本,制备得到的电极材料质量高,在微纳米电子器件、太阳能电池电极、光电转换器、透明导电薄膜等领域具有良好的应用前景。

本发明授权一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种MCo2O4@MoS2RGO电极材料的制备方法,其特征在于,包括:(1)MoS2RGO的制备:将GO超声分散于去离子水中,然后向其中加入表面活性剂水溶液、MoO3和KSCN,搅拌混合均匀后进行水热反应,反应结束后得到沉淀,洗涤,干燥,得到MoS2RGO;(2)MCo2O4@MoS2RGO电极材料的制备:将MoS2RGO分散在去离子水中,再依次加入硝酸盐、CoNO3•6H2O、d-葡萄糖和尿素,搅拌混合均匀,然后水热反应,反应结束后得到沉淀,洗涤,干燥,得到MCo2O4@MoS2RGO电极材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人兰州理工大学,其通讯地址为:730050 甘肃省兰州市兰工坪85号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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