恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利氮化物二极管器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222814791U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420588963.7，技术领域涉及：H10H20/821；该实用新型氮化物二极管器件结构是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物二极管器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氮化物二极管器件结构。所述器件结构包括基底、图形结构层以及半导体结构层；图形结构层包括阵列层、掺杂层以及覆盖层；阵列层包括独立的多个图形化凸起结构，掺杂层至少设置于图形化凸起结构的顶面，覆盖层连续覆盖掺杂层以及处于多个图形化凸起结构之间的部分区域，并具有多个纳米级孔洞结构；图形化凸起结构的材质包括第一元素的氧化物，覆盖层的材质包括第一元素的氮化物，掺杂层的材质包括第一元素的氮化物被第二元素掺杂所形成的掺杂材料。本实用新型提高了氮化物材料的晶体质量；利用了掺杂缺陷控制提高了阵列层和覆盖层的界面电荷捕获能力，最终改善了半导体外延片的漏电性能。
本实用新型氮化物二极管器件结构在权利要求书中公布了：1.一种氮化物二极管器件结构，其特征在于，包括沿指定方向依次层叠设置的基底、图形结构层以及半导体结构层；所述图形结构层包括沿所述指定方向依次设置的阵列层、掺杂层以及覆盖层；所述阵列层包括独立分布于所述基底朝向所述半导体结构层的一面的多个图形化凸起结构，所述掺杂层至少设置于所述图形化凸起结构的朝向所述图形化凸起结构的顶面，所述覆盖层连续覆盖所述掺杂层以及处于多个所述图形化凸起结构之间的部分区域，并具有多个纳米级孔洞结构；所述图形化凸起结构的材质包括第一元素的氧化物，所述覆盖层的材质包括所述第一元素的氮化物，所述掺杂层的材质包括所述第一元素的氮化物被第二元素掺杂所形成的掺杂材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号