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龙图腾网恭喜电力集成公司申请的专利一种高压场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210306044.1，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权一种高压场效应晶体管及其制造方法是由阿列克谢·库迪莫夫;L·刘;王晓辉;贾马尔·拉姆达尼设计研发完成，并于2017-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高压场效应晶体管（HFET）及其制造方法，该高压场效应晶体管包括第一半导体材料、第二半导体材料和异质结。所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间。HFET还包括多个复合钝化层，其中第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，并且第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层以及第三复合钝化层包括第三绝缘层和第三钝化层，其中，所述多个复合钝化层中的所述绝缘层由适于形成栅极绝缘体的电介质制成。栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间。栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间。第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，其中，所述第一栅极场板与栅极电极耦接。

本发明授权一种高压场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压场效应晶体管，包括：第一半导体材料、第二半导体材料和异质结，其中所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间；多个复合钝化层，包括：第一复合钝化层，所述第一复合钝化层具有第一绝缘层和第一钝化层，其中所述第一钝化层布置在所述第二半导体材料和所述第一绝缘层之间，以及所述第一绝缘层由适于形成栅极绝缘体的电介质制成；第二复合钝化层，所述第二复合钝化层具有第二绝缘层和第二钝化层，其中所述第二钝化层布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，以及所述第二绝缘层由适于形成栅极绝缘体的电介质制成；以及第三复合钝化层，所述第三复合钝化层具有第三绝缘层和第三钝化层，其中所述第三钝化层布置在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间；第四钝化层，其中，所述第三绝缘层布置在所述第四钝化层和所述第三钝化层之间，第一栅极场板，所述第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，其中，所述第一栅极场板与栅极电极耦接；第二栅极场板，所述第二栅极场板与所述第一栅极场板耦接，其中，所述第二栅极场板从所述第二钝化层延伸、穿过所述第二绝缘层、穿过所述第三钝化层、并且进入所述第四钝化层；以及栅极电介质，所述栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间；其中，所述栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间。

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