恭喜长鑫存储技术有限公司张志伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910313430.1，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件及其制造方法是由张志伟设计研发完成，并于2019-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件及其制造方法，涉及晶圆封装测试技术领域。该半导体器件包括：基底；电介质层，位于远离所述基底的一侧面上；位于所述电介质层上的焊盘；屏障，形成于所述焊盘上，以便将所述焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘。通过在焊盘层上形成屏障将焊盘层划分为焊接焊盘和测试焊盘，使得探针伤害的区域与焊接焊盘不会相互影响，提升芯片的良率与稳定性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；电介质层，位于所述基底的一侧面上；焊盘，位于所述电介质层远离所述基底的表面；屏障，突出于所述焊盘远离所述基底的表面，将所述焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘；所述电介质层中包括与所述焊盘连通的第二通孔，所述屏障位于所述第二通孔上方，所述第二通孔填充有填充材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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