买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜PEP创新私人有限公司申请的专利芯片封装方法及芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910740982.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装方法及芯片结构是由周辉星设计研发完成，并于2019-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装方法及芯片结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种芯片封装方法及芯片结构，芯片封装方法包括：提供晶片，在晶片活性面形成保护层；切割分离所述晶片形成裸片；提供金属结构，所述金属结构包括至少一个金属单元；将所述裸片和金属结构贴装在载板上；形成塑封层；形成介电层。芯片结构包括：至少一个裸片；保护层；金属单元，所述金属单元包括至少一个金属特征；塑封层，用于包封所述裸片和金属单元；其中所述芯片结构通过至少一个金属特征与外部电路进行连接；介电层。利用金属单元的多个金属特征取得了不同金属特征带来的封装性能的提高，并且本公开中在晶片活性面形成有保护层，省去了塑封层形成步骤后的绝缘层施加步骤。

本发明授权芯片封装方法及芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，包括：至少一个裸片；保护层，设置在所述裸片的活性面上；金属单元，设置在所述裸片的侧面且不与所述裸片接触，所述金属单元包括至少一个金属特征，其中所述芯片结构通过至少一个金属特征与外部电路进行连接；塑封层，用于包封所述裸片和金属单元；导电结构，所述导电结构包括晶片导电层和面板级导电层，所述晶片导电层设置在所述裸片的活性面上，所述保护层包覆所述晶片导电层且露出所述晶片导电层的表面；所述金属单元上的至少一个金属特征通过导电结构与裸片相连；所述晶片导电层包括晶片导电迹线和晶片导电凸柱；至少一部分所述晶片导电迹线和电连接点和或散热位置连接；所述至少一部分晶片导电凸柱形成于所述晶片导电迹线上；所述面板级导电层形成在保护层表面和塑封层正面，至少一部分所述面板级导电层和晶片导电凸柱连接并和金属单元连接，所述保护层表面、所述塑封层正面以及所述金属单元正面齐平；以及介电层，包覆所述面板级导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人PEP创新私人有限公司，其通讯地址为：新加坡海军部8号1层07/10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。