买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院申请的专利半导体器件以及晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891237.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体器件以及晶体管是由田宝华;金锐;和峰;刘江;聂瑞芬;李翠;郝夏敏设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件以及晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件以及晶体管。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一注入区，位于外延层中，第一注入区的远离衬底的表面与外延层的远离衬底的部分表面重叠；斜角沟道区，位于第一注入区中，斜角沟道区的导电类型与第一注入区的导电类型不同，斜角沟道区的远离衬底的表面与第一注入区的远离衬底的表面之间的夹角不为0°；栅极结构，位于外延层的远离衬底的部分表面上，斜角沟道区在衬底的正投影位于栅极结构在衬底的正投影中。本申请至少解决现有技术中半导体器件的沟道迁移率较低的问题。

本发明授权半导体器件以及晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底的表面上；第一注入区，位于所述外延层中，所述第一注入区的远离所述衬底的表面与所述外延层的远离所述衬底的部分表面重叠；斜角沟道区，位于所述第一注入区中，所述斜角沟道区的导电类型与所述第一注入区的导电类型不同，所述斜角沟道区的远离所述衬底的表面与所述第一注入区的远离所述衬底的表面之间的夹角不为0°；栅极结构，位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上，所述斜角沟道区在所述衬底的正投影位于所述栅极结构在所述衬底的正投影中，所述栅极结构包括：栅介质层，位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上以及所述第一注入区的远离所述衬底的部分表面上；栅极，至少位于所述栅介质层的远离所述外延层的表面上，所述斜角沟道区和所述第一注入区分别有两个，所述斜角沟道区一一对应地位于所述第一注入区中，所述栅介质层包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述斜角沟道区在所述衬底的正投影一一对应地位于所述第二部分在所述衬底的正投影中，所述斜角沟道区的靠近所述第一部分的侧面到所述第一注入区的远离所述衬底的表面的距离为第三距离，所述斜角沟道区的远离所述第一部分的侧面到所述第一注入区的远离所述衬底的表面的距离为第四距离，满足以下之一：所述第三距离小于所述第四距离，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；所述第三距离大于所述第四距离，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。