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龙图腾网恭喜南京云程半导体有限公司;上海云攀半导体有限公司申请的专利电容结构和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411908564.5，技术领域涉及：H10D1/60；该发明授权电容结构和半导体结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容结构和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体技术领域，提供一种电容结构和半导体结构，电容结构包括：由正极结构和负极结构构成的电容元件，正极结构包括电流注入部和正电荷存储部，负极结构包括电流输出部和负电荷存储部，正电荷存储部和至少部分负电荷存储部正对；正极结构和负极结构均为导电层，正电荷存储部和负电荷存储部中产生的电流流向相反，且沿任一电流流向上电流注入部和电流输出部位于同侧；和或，至少部分电容元件由有源器件构成，相邻两个有源器件中的栅极中产生的电流流向相反，且沿任一电流流向上相邻两个电流注入部或两个电流输出部位于相对的两侧，至少有利于降低电容结构本身向外辐射的磁场强度，以减少对周围器件的干扰。

本发明授权电容结构和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括：至少一个正极结构，所述正极结构包括电流注入部和至少一个与所述电流注入部电连接的正电荷存储部；至少一个负极结构，所述负极结构包括电流输出部和至少一个与所述电流输出部电连接的负电荷存储部，一所述正极结构和一所述负极结构构成一电容元件，同一所述电容元件中，所述正电荷存储部和至少部分所述负电荷存储部正对；其中，同一所述电容元件中，所述正极结构和所述负极结构均为导电层，所述电容元件充电或放电的过程中，所述正电荷存储部和负电荷存储部中产生的电流的流向相反，且沿任一电流的流向上，所述电流注入部和所述电流输出部位于同侧；和或，至少部分所述电容元件由有源器件构成，相邻两个所述有源器件充电或放电的过程中，相邻两个所述有源器件中的栅极中产生的电流的流向相反，且沿任一电流的流向上，相邻两个所述电流注入部或者相邻两个所述电流输出部位于相对的两侧；绝缘结构，位于任一所述正极结构和任一所述负极结构之间，所述绝缘结构包括隔离层和介质层；衬底，所述衬底上包括沿第一方向堆叠设置的多层图形层，每一所述图形层包括沿所述第一方向堆叠设置的所述隔离层和所述导电层；所述正电荷存储部和所述负电荷存储部由同层所述导电层构成，或者分别由不同层所述导电层构成，所述正电荷存储部为沿第二方向延伸的第一金属条，所述负电荷存储部为沿所述第二方向延伸的第二金属条，且所述介质层位于所述第一金属条和所述第二金属条之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京云程半导体有限公司;上海云攀半导体有限公司，其通讯地址为：211806 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号B-62；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。