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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119352146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932830.8，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用是由张慧敏;蔡永青;武梓轩;刘云龙;赵纪军设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用，方法包括：将钛酸锶衬底放置在分子束外延生长设备的腔体中，在超真空条件下对其进行除气和高温退火，直至钛酸锶衬底表面出现规则台阶；以铬源和锑源为蒸发源，采用分子束外延生长技术在预处理后的衬底上生长铬锑磁性薄膜。本发明制得的薄膜具有极其显著的磁各向异性，其易磁化轴沿面外方向，且在面内与面外方向的磁化强度差异明显；此外，薄膜具有铁磁性，并且随着温度的升高，矫顽场逐渐减小；此外，薄膜还具有稳定的磁学性质，表现出居里温度高于室温的特性。同时制备方法具备精确控制薄膜层数和高质量生长的优势，为新一代半导体器件的开发提供了理想的磁性薄膜材料。

本发明授权一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将钛酸锶衬底清洗后放置在分子束外延生长设备的腔体中，在超真空条件下对所述钛酸锶衬底进行除气和高温退火，直至所述钛酸锶衬底表面出现宽度为50nm~200nm的台阶，得到预处理后的衬底；（2）以铬源和锑源为蒸发源，采用分子束外延生长技术在所述预处理后的衬底上生长铬锑磁性薄膜，其中，铬源的蒸发温度为1240℃～1260℃，锑源的蒸发温度为390℃～410℃，所述预处理后的衬底的温度保持在320℃～340℃，生长速率为0.036层min~0.038层min，生长时间为25min~30min，单原胞厚度为0.8nm；所述铬锑磁性薄膜具有六角晶格结构。

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