买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018622.5，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片是由贺俊杰设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区的第一侧形成层叠设置于N型衬底上的第一P柱、第一P型阱区、第一P型基区，在N型漂移区的第二侧形成层叠设置于N型衬底上的第二P柱、第二P型阱区、第二P型基区，并且，设置第一P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于第一P型基区的P型掺杂离子的浓度，第一P型阱区的宽度小于第一P型基区的宽度，第二P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于第二P型基区的P型掺杂离子的浓度，第二P型阱区的宽度小于第二P型基区的宽度，从而改变器件内部P型基区周围的电场，抑制器件内寄生BJT的导通，提高器件的抗雪崩能力。

本发明授权具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；第一P柱、第一P型阱区、第一P型基区，所述第一P柱、所述第一P型阱区、所述第一P型基区依次层叠设置于所述N型衬底上；所述第一P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于所述第一P型基区的P型掺杂离子的浓度，并且，所述第一P型阱区的宽度小于所述第一P型基区的宽度；第二P柱、第二P型阱区、第二P型基区，所述第二P柱、所述第二P型阱区、所述第二P型基区依次层叠设置于所述N型衬底上；所述第二P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于所述第二P型基区的P型掺杂离子的浓度，并且，所述第二P型阱区的宽度小于所述第二P型基区的宽度；所述第一P型阱区呈梯形结构，并且，所述第一P型阱区的宽度从漏极层到源极层的方向逐渐减小，所述第一P型阱区与所述第一P型基区之间的接触面的宽度小于所述第一P型阱区与所述第一P柱之间的接触面的宽度；和或，所述第二P型阱区呈梯形结构，并且，所述第二P型阱区的宽度从漏极层到源极层的方向逐渐减小，所述第二P型阱区与所述第二P型基区之间的接触面的宽度小于所述第二P型阱区与所述第二P柱之间的接触面的宽度；N型漂移区，形成于所述N型衬底上，并且，所述第一P柱、所述第一P型阱区、所述第一P型基区位于所述N型漂移区的第一侧，所述第二P柱、所述第二P型阱区、所述第二P型基区位于所述N型漂移区的第二侧；所述第一P型基区与第二P型基区均呈凹字形结构；第一N型源区、第二N型源区，所述第一N型源区形成于所述第一P型基区的凹字形结构内；所述第二N型源区形成于所述第二P型基区的凹字形结构内；栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述N型漂移区上，与所述第一P型基区、所述第二P型基区、第一N型源区、第二N型源区接触，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；源极层，覆盖于所述栅极介质层上，并与所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型基区、所述第二P型基区接触；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。