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龙图腾网恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司申请的专利真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045493.9，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器是由钟少龙;龙亮;郭智慧;周伟;张鑫鑫;郭凉杰设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。

本发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种真空微腔干涉仪芯片，该真空微腔干涉仪芯片包括第一基底和第二基底；其特征在于：所述第一基底上制作有压力敏感薄膜，所述压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，所述第二基底上沉积有与所述第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F-P光学干涉腔；至少一个吸气剂腔设置在第一基底和或第二基底上，在所述吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，所述吸气剂腔和所述F-P光学干涉腔通过气道连通，所述第一反射面和所述第二反射面设置在所述F-P光学干涉腔内；在第二基底与第一基底键合成一体后，所述吸气剂腔形成为封闭结构，仅通过所述气道与所述F-P光学干涉腔连通；在所述第二基底背离所述第一基底的一侧，安装有光纤准直器；进一步的，还具有第三基底，在所述第三基底上设置安装孔并安装所述光纤准直器，所述第一反射面、第二反射面、光学增透膜、安装孔和光纤准直器具有相同的轴线；所述第二基底的外形尺寸大于所述第一基底及第三基底，利用第二基底的外形尺寸大于第一基底和第三基底形成外露表面与传感器壳体进行固定。

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