恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司钟少龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司申请的专利真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045360.1，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器是由钟少龙;龙亮;郭智慧;李好斯白音设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器，包括第一基底的下表面刻蚀形成有凹腔，当所述第一基底和所述第二基底键合后，所述凹腔形成为F‑P干涉腔，在所述F‑P干涉腔内的所述第一基底的表面设置有第一反射面，在所述F‑P干涉腔内的所述第二基底的表面设置有第二反射面，所述第三基底的上表面形成环形腔，所述环形腔内至少一个表面沉积有所述吸气剂薄膜，在所述第二基底上设置有至少一个通气孔，所述通气孔连通所述F‑P干涉腔和所述环形腔；所述环形腔和F‑P干涉腔在水平面上的投影至少存在部分重合。
本发明授权真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种真空微腔干涉仪芯片，包括第一基底，第二基底和第三基底，三个基底键合固定；其特征在于，在所述第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述第一基底的下表面刻蚀形成有凹腔，当所述第一基底和所述第二基底键合后，所述凹腔形成为F-P干涉腔，在所述F-P干涉腔内的所述第一基底的表面设置有第一反射面，在所述F-P干涉腔内的所述第二基底的表面设置有第二反射面，所述第三基底形成有环形腔，所述环形腔内至少一个表面沉积有吸气剂薄膜，在所述第二基底上设置有至少一个通气孔，所述通气孔连通所述F-P干涉腔和所述环形腔；所述环形腔和F-P干涉腔在水平面上的投影至少存在部分重合；所述第三基底中心设置光纤准直器的安装孔；所述第二基底上设置有台阶部，所述台阶部的直径大于所述通气孔的直径，所述台阶部设置于所述通气孔和所述环形腔之间。
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