买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜国科大杭州高等研究院申请的专利一种MIM增强可调控的中红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059459.7，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种MIM增强可调控的中红外光电探测器是由陆卫;马嘉骏设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MIM增强可调控的中红外光电探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种MIM增强可调控的中红外光电探测器，所述基底的上表面通过六方氮化硼层分隔出两侧的源漏电极和中部的金属背反射层，所述源漏电极为钛金金属复合电极，下层为钛作为粘附层，上层为金；金属背反射层上被六方氮化硼层完全覆盖；二硫化钼层和黑砷磷层形成b‑AsPMoS2异质结，两层的交叠部分在金属背反射层上，并且二硫化钼层和黑砷磷层分别与一侧的金属复合电极形成欧姆接触，MIM光栅集成在b‑AsPMoS2异质结结区上，通过在金属背反射层和周期性金属光栅之间形成一个横向共振模式，在中波红外4μm以后的中波波段范围显著增加b‑AsPMoS2异质结的光吸收，增强吸收调控。

本发明授权一种MIM增强可调控的中红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种MIM增强可调控的中红外光电探测器，其特征在于：所述器件自下而上，依次包括基底、源漏电极和金属背反射层、六方氮化硼层、二硫化钼层、黑砷磷层和MIM光栅，所述基底的上表面通过六方氮化硼层分隔出两侧的源漏电极和中部的金属背反射层，所述源漏电极为钛金金属复合电极，其中，下层为钛作为粘附层，上层为金；金属背反射层上被六方氮化硼层完全覆盖；二硫化钼层和黑砷磷层形成b-AsPMoS2异质结，两层的交叠部分在金属背反射层上，并且二硫化钼层和黑砷磷层分别与一侧的金属复合电极形成欧姆接触；其中，六方氮化硼层、二硫化钼层、黑砷磷层的厚度如下： ，其中，n1、n2、n3分别是黑砷磷、二硫化钼、六方氮化硼的折射率，d1、d2、d3分别是黑砷磷层、二硫化钼层、六方氮化硼层的厚度，λ是入射光的波长，m是整数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科大杭州高等研究院，其通讯地址为：310024 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。